第109章：画面太mei

郭东和他们几人，到了实验车间，郭东作为现场最不懂ye晶技术的人，他就问其他几人：“ye晶是怎么控制开关的，它又是怎么显示电路图形的？”

“ye晶是早在1888年由奥地利植wu学家莱尼兹发现的一zhong在常温下介于固态和ye态之间的一zhong化合wu质，由于当时并没有这类wu质的称呼，因此他就取名ye晶，就是ye态固ti的意思。

后来，直到1968年，mei国rca公司的沙诺夫研发中心的工程师，发现ye晶受电压的影响而改变其排列顺序，他们利用这一现象而发明了第一块ye晶屏。

至于怎么显示图形，则是把ye晶置于平行的玻璃面板沟槽中，这样的玻璃面板有两块，前后两排沟槽是呈九十度垂直的，这样就构成了一个个的单元格，也就是像素点。在两排沟槽的中间，是呈网状的透明电极。

我们把横向排列的沟槽通电，那么这条沟槽中的ye晶它们就会沿沟槽有顺序地排列，这时背景光源就可以通过它们。但是还有一层纵向排列的ye晶它们没通电，因此它们是呈混luan排列的，光线还是通不过。如果这时，我们给纵向排列的某一条沟槽通电，那么纵向排列和横向排列相jiao的一个点，这里光线就可以真正通过了，许多个这样的亮点就构成了图形。

当然真正的ye晶技术不会这么简单，但我们现在就只要这么简单的技术就可以了。复杂了反而不好，会影响图像jing1度。”说到ye晶就是王波的菜，因此他小小的向郭东科普了一番。

“原来是这样！这下我明白了。”郭东边说边点tou，好像已经完全明白了的样子。

只要使用第一代ye晶技术当然很简单，况且他们需要的比第一代技术更简单，因此没有什么难度。他们唯一要解决的是沟槽的jing1度，使像素点更细密。

不过相对于拥有纳米级加工工艺技术的长胜jing1工来说，就太简单了。因为沟槽再怎么jing1密，也只有u米级，这是ye晶化合wu分子的大小所决定的。

当第一块ye晶屏试制chu来，在了解了技术细节之后，郭东就gan叹说：“看来这项技术的缺点也很明显，它只能达到u米级jing1度，我们算是白忙活了。”

“也不能这么说，其实日常生活中，低级别的rui片用的是最多的，比如普通的小家电所用的rui片以及普通的工控rui片。我们能减少低级别rui片的工序也是了不得的进步。”这时，权威专家洪涛就站chu来给大家打气了。

“唉！好吧！我们先试试吧！还不知dao能不能代替激光刻蚀呢？”郭东又发gan慨了，真是一个多愁善gan的人。

要试很简单，因为不是硅晶圆因此无须无氧环境，只要一间暗室就可以了。暗室也不是真的暗，黄光还是可以的。

他们实验了一下，情况还好，只要掩模板与ye晶屏隔得足够近，大概几纳米的样子，光的漫散现象还是不严重。也就是说用ye晶屏代替激光蚀刻掩模板获得了成功，虽然只能用在低制程rui片技术上，但是因为图形转移快捷，可以说是非常有用的一项技术了。

接下来就是真正研制光刻机了。由于一些技术难点郭东他们还是长胜jing1工技术bu的时候就早已解决了，因此他们直接进入了设计环节。

为了最大程度的提高效率和减少氩气用量，郭东要技术员将工作台里面的活动机构的最大行程设置为5毫米。也就是说从最上面的激光到最下面的基片面只有5毫米，这个5毫米中间还有一个有缺口的托架，托架是放掩模板的平台，它只能上下移动。而那个缺口就是为微型机械臂输送掩模板用的。

掩模板至少得有一毫米厚，托架也至少得有二毫米厚，加上微型机械臂占去了一点点厚度，也就是说在输送掩模板的过程中，与上面的激光tou和下面的基片上下相差不到一毫米了，玩的就是这么jing1密。

当然硅晶圆基片，它是最后才放进来的，而且微型机械臂是从下面输送进来的，不占用这5毫米的工作空间。

硅晶圆基片台是真正的固定，它不需要移动。唯一能上下左右移动的就是激光tou。激光tou不止一个，而是一排。就像刷卡一样，它只要刷一次就够了。

看起来很简单，其实他最难的是怎么控制掩模板与基片之间只相差几纳米，激光tou与掩模板之间只相差几纳米。就是这一个难点就难住了许公司，这需要纳米